广州配资网机构统计存储芯片第三季度价格涨幅明显收窄部分环比涨幅在10%以内

　　9月1日，调研机构群智咨询（Sigmaintell）发布存储价格风向标显示，2026年第三季度，全球存储市场整体供需依旧紧缺，DRAM（动态随机存取存储器）、NAND Flash（闪存）全品类价格维持环比上行，但相较于二季度的涨价幅度已明显放缓，部分存储芯片的环比涨幅已收窄到10%以内。

　　当天，韩国和日本存储芯片龙头企业的股价轻微上升。截至下午2点左右，三星电子涨0.1%至260250韩元/股，SK海力士涨1.25%至1695000韩元/股，铠侠控股涨3.24%至51610日元/股。

　　群智咨询的数据显示，2026年第三季度DRAM市场继续涨价，但下游接受度分化，以16GB DDR4为例，价格环比第二季度上涨16%。原厂仍有涨价意愿，但PC终端受成本压力影响，整机厂采购趋于保守，DDR单价进一步上涨动能被削弱。

　　移动端LPDDR涨势受终端备货放缓影响更突出。据群智咨询数据，LPDDR4X（4GB）的价格环比上涨7%；高端LPDDR5X（12GB）价格环比仅上涨3%。此前多轮存储涨价已大幅抬高手机整机成本，手机品牌对存储涨价接受度低，主动控制备货，仅保留高端旗舰机型刚需订单。叠加现货渠道部分贸易商获利清盘、低价出货，进一步约束移动DRAM的价格上行空间。

　　在NAND Flash方面，群智咨询的数据显示，企业级相关需求为价格提供了一定支撑，不过消费PC客户对涨价的接受度下降，采购备货意愿亦同步收缩。移动端闪存涨势也明显受限，256GB UFS3.1环比上涨11%。

　　群智咨询副总经理兼首席分析师陈军向第一财经记者分析说，第三季度进入存储厂商与终端厂商博弈时期。今年下半年消费需求显著下降，AI算力端的需求虽然强劲，但是消费终端的采购需求受到抑制，存储价格涨幅大幅收窄。比如，三季度LPDDR4X/5X的1Gb单价已在1.6美元左右，环比涨幅在10%以内，四季度价格环比涨幅预期进一步收窄。这会影响资本市场对于存储原厂后续业绩增幅的预期。

　　三星电子、SK海力士8月中下旬均发布了2026股东回报计划，三星电子的股东回报计划预计规模为90万亿至110万亿韩元，将落实2024-2026年三年自由现金流50%用于股东回报的规划；SK海力士将回购40万亿韩元的股票，未来三年将把自由现金流至少50%用于股东回报。

　　9月1日截至下午约2点左右，三星电子的市值约1648.6万亿韩元，SK海力士市值约1220万亿韩元，均比今年8月下旬的市值有所回升，但比它们今年6月各自的市值峰值分别下跌了约30%和42%。

　　一位存储行业分析师向记者表示，明年存储芯片价格走势已大致确定，不会有太大惊喜，因此对韩日存储龙头来说，预计不一定会出现再破之前市值高峰的状况。